產品介紹
主要用途 主要用於集成電路、半導體元器件、光電子器件、光學器件研製和生產。由於本機找平機構先進,找平力小,使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光,而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光。
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主要功能特點
1.曝光類型:雙面對準單面曝光;
2.曝光面積:210×210mm;
3.曝光照度不均勻性:≤5%;
4.曝光強度:≥10mw/cm2可調;
5.紫外光束角:≤5˚;
6.紫外光中心波長:365nm;
7.紫外光源壽命:≥2萬小時;
8.曝光分辨率:3μm;
9.曝光模式:可選擇一次曝光或套刻曝光;
10.顯微鏡掃描範圍:X:±40mm Y:±30mm;
11.對準範圍:X、Y粗調±3mm,細調±0.3mm;Q粗調±15°,細調±3°;
12.對準精度:正面≤2μm,反面3~5μm;
13.分離量;0~50μm可調;
14.接觸-分離漂移:≤2μm;
15.曝光方式:密着曝光,可實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光;
16.找平方式:三點式自動找平;
17.顯微系統:
1)正面對準採用雙視場CCD立式顯微鏡,總放大倍數45X~300X(物鏡放
大倍數1.1X~7.5X連續變倍),雙物鏡可調距離11mm~200mm。掃描範圍:X±40mm,Y±35mm;
2)反面對準採用雙視場CCD臥式顯微鏡:總放大倍數120X(物鏡放大倍數4X),雙物鏡可調距離22mm~70mm;
3)兩種顯微鏡共用一套計算機圖像處理系統;
18.掩模版尺寸:7″×7″、8″×8″、9″×9″;
19.基片尺寸:φ6、φ7、φ8;
20.基片厚度:≤6mm;
21.曝光定時:0~999.9秒可調;
22.對準方式:切斯曼對準機構。
23.曝光頭轉位:氣動;
24. 電源:單相AC220V 50HZ ,功耗≤1KW;
25.潔淨空氣壓力:≥0.4MPa;
26.真空度:-0.07MPa~-0.09MPa;
27.尺寸: 1020mm(長)×780mm(寬)×1600mm(高);
28.重量:約190Kg。
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