主要用途：    主要用於中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路的研製和生產。 工作方式：    本機採用版—版對準雙面同時曝光方式，亦可用於單面曝光。 主要構成：    主要由高精度對準工作臺、Z軸升降機構、雙視場CCD顯微顯示系統)、二臺多點光源蠅眼式曝光頭、真空管路系統、氣路系統、直聯式真空泵、防震工作臺等組成。

CCD顯微系統|X、Y、Q對準工作臺|Z軸升降機構

主要功能特點 

1．曝光類型：單面對準雙面一次曝光；

2．曝光面積：110×110mm；

3．曝光照度不均勻性：≤3%；

4．曝光強度：≥40mw/cm²可調；

5．紫外光束角：≤3˚；

6．紫外光中心波長：365nm、404nm、435nm可選：

7．紫外光源壽命：≥2萬小時；

8．曝光分辨率：≤1.5μm；

9．曝光模式：雙面同時曝光；

10．對準精度：對準精度≤6μm；

11．對準範圍：X：±5mm   Y：±5mm；

12．旋轉範圍：Q向旋轉調節≥±5°；

13．最大升降：≥16mm；

14．密着曝光方式：密着曝光可實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光；

15．顯微系統：雙視場CCD系統，顯微鏡45X～300X連續變倍，顯微鏡掃描範圍：X:±40mm，Y:±35mm；雙物鏡距離可調範圍：11mm～100mm，計算機圖像處理系統，19″液晶監視器；

16．掩模版尺寸：3″×3″、4″×4″、5″×5″；

17．基片尺寸：φ2″、φ3″、φ4″；

18．基片厚度：≤5 mm；

19．曝光定時：0～999.9秒可調；

20. 電源：單相AC220V  50HZ ，功耗≤1.5KW；

21．潔淨壓縮空氣壓力：≥0.4MPa；

22．真空度：-0.07MPa~-0.09MPa；

23．尺寸： 985mm（長）×680mm（寬）×1800mm（高）；

24．重量：約190Kg。