主要用途: 主要用於中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路的研製和生產。 工作方式: 本機採用版—版對準雙面同時曝光方式,亦可用於單面曝光。 主要構成: 主要由高精度對準工作臺、Z軸升降機構、雙視場CCD顯微顯示系統)、二臺多點光源蠅眼式曝光頭、真空管路系統、氣路系統、直聯式真空泵、防震工作臺等組成。 |
CCD顯微系統|X、Y、Q對準工作臺|Z軸升降機構 |
主要功能特點
1.曝光類型:單面對準雙面一次曝光;
2.曝光面積:110×110mm;
3.曝光照度不均勻性:≤3%;
4.曝光強度:≥40mw/cm2可調;
5.紫外光束角:≤3˚;
6.紫外光中心波長:365nm、404nm、435nm可選:
7.紫外光源壽命:≥2萬小時;
8.曝光分辨率:≤1.5μm;
9.曝光模式:雙面同時曝光;
10.對準精度:對準精度≤6μm;
11.對準範圍:X:±5mm Y:±5mm;
12.旋轉範圍:Q向旋轉調節≥±5°;
13.最大升降:≥16mm;
14.密着曝光方式:密着曝光可實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光;
15.顯微系統:雙視場CCD系統,顯微鏡45X~300X連續變倍,顯微鏡掃描範圍:X:±40mm,Y:±35mm;雙物鏡距離可調範圍:11mm~100mm,計算機圖像處理系統,19″液晶監視器;
16.掩模版尺寸:3″×3″、4″×4″、5″×5″;
17.基片尺寸:φ2″、φ3″、φ4″;
18.基片厚度:≤5 mm;
19.曝光定時:0~999.9秒可調;
20. 電源:單相AC220V 50HZ ,功耗≤1.5KW;
21.潔淨壓縮空氣壓力:≥0.4MPa;
22.真空度:-0.07MPa~-0.09MPa;
23.尺寸: 985mm(長)×680mm(寬)×1800mm(高);
24.重量:約190Kg。